> 数据图表如何看待暗硅效应示意图2023-8-1 而 Dennard 缩放定律的停滞（当摩尔定律使晶体管尺寸下降到纳米级时，量子隧穿等现象导致晶体管漏电，使晶体管的静态功耗不减反增，功率密度上升，散热问题加剧）导致工业界竞相向多核架构发展，多核架构实现了并行和多任务工作负载的性能扩展，仍然能够保证在商业合理范围内提升处理器性能。 但随着多核缩放的优势开始消退，在摩尔定律逼近极限之前，多核的技术路径已面临新的瓶颈由于芯片散热技术和供电技术的限制，以及成本限制，可承受的微处理器功耗在近 10 年的发展历程中并没有太大变化，这导致在 10nm 或更先进工艺线下，以摩尔定律增加的晶体管在动态运行期间必须通过关闭来实现功耗控制，即暗硅（Dark Silicon）问题。德邦证券科技传媒
