> 数据图表请问一下HDPCVD 设备结构和 ICP 刻蚀设备相近2024-10-4（1）从构造上看，CCP 刻蚀设备构造和 PECVD 基本一致，上下电极都是电容板，中间通射频交流电ICP 刻蚀设备和 HDPCVD 相近，上电极是电感线圈，下电极是电容板。（ 2 ） 对 于 需 要 用 到 等 离 子 体 CVD 技 术 的 薄 膜 沉 积 设 备 （ 主 要 包 括PECVDHDPCVDSACVDPE-ALD 等）和刻蚀设备来说，其工作原理都是气体经过平行电极（接地电极和射频激励电极）分解成等离子体然后注入到腔室里，下电极起到的作用是对进来的等离子体进行定向加速，然后产生化学反应生成固着的材料或去除材料。因此，等离子体源的先进程度和反应腔设计的能力是衡量薄膜沉积厂商产品开发能力的重要因素。反应腔设计，是指使得等离子体在腔室里的分布更加合理，从而产生实现最优薄膜覆盖程度的等离子反应。开源证券综合其他
