> 数据图表咨询大家海外出口限制层层加码，推进半导体产业链国产化进程2025-1-3海外出口限制层层加码，推进半导体产业链国产化进程图表57：近期全球主要国家半导体政策梳理（接上表）国家 时间事件具体条例2023/3/8荷兰政府以“国家安全”为由，宣布将对包括“最先进的”深紫外光刻机（DUV）在内的特定半导体制造设备实施新的出口管制。意味着荷兰方面已将光刻机出口管制的范围，由极紫外光刻机（EUV）扩大到了DUV。2023/6/30荷兰当地时间6月30日，荷兰政府正式颁布了有关先进半导体设备的额外出口管制的新条例，主要针对的对象为先进的芯片制造技术，包括先进的沉积设备和浸润式光刻系统。该措施将于2023年9月1日正式生效。从限制政策来看，主要受影响的荷兰企业为ASML和ASMInternational。根据荷兰公布的出口管制的新规来看，此次限制材料、设备及技术具体如下：1、3B001.l ：EUV pellicle，即EUV光罩保护膜；2、3B001.m：EUV pellicle生产设备；3、3B001.f.4：光刻设备，如下所示：使用光电或X射线方法对准和曝光芯片的直接步进式芯片或扫描仪设备，具有以下任一项或两项：①.光源的波长短于193nm（这里指EUV光刻机）；②.光源的波长等于或大于193nm：a.能够产生具有45nm或更小的最小可分辨特征尺寸（MRF）的图案；和b.小于或等于1.50nm的最大专用卡盘覆盖（DCO，是通过相同的光刻系统在芯片上曝光的现有图案上对准新图案的准确度）值。根据ASML公布的数据显示，ASML的NXT1980系列依然可以不受出口限制影响。4、3B001.d.12：用于金属剥离的原子层沉积（ALD）设备①.具有以下所有特征：a.一种以上的金属源，其中一种已被开发用于铝（AI）前体；和b.原材料容器设计用于45°C以上的温度；②.设计用于沉积具有以下所有特征的“台阶式”金属：a.沉积碳化钛铝（TiAlC）；和b.高于4.0eV的“特定功函数的金属”的可能性。5、3B001.a.4：设计用于硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂SiGe外延生长的设备。具有以下所有特征：a.在工艺步骤之间维持用于高真空（小于或等于0.01Pa）或惰性气体（水和氧分压小于0.01Pa）的多个腔室和装置；b.至少一个预处理室，所述预处理室设计用于表面制备以清洁晶片的表面；和c.外延沉积工作温度685°C或以下。6、3B0001.d.19：设计用于在介电常数低于3.3的金属线之间的深度与高度之比（AR）等于或大于1:1的小于25nm宽的空间中沉积由无空穴等离子体增强的Low K电介质的设备。7、3D007：专为开发、生产或使用本法规3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d.19中规定的设备而设计的软件。8、3E005：开发、生产或使用本法规3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d.19中规定的设备所需的技术。2023/9/12023年9月1日，荷兰政府此前于6月底颁布的有关先进半导体设备的额外出口管制的新条例正式生效。据彭博社报道，ASML发言人于当地时间周四表示，尽管出口限制从9月开始生效，但该公司现有的许可证仍能够允许其在2023年底前继续将NXT:2000i和更先进的DUV光刻机运送到中国。自 2024 年1月1日起，ASML不太可能获得向中国国内客户运送这些系统的出口许可证。2024/1/2ASML在官网发布声明称，其NXT:2050i及NXT:2100i光刻系统的出口许可证已被荷兰政府部分撤销，影响了中国大陆的一小部分客户。ASML还称，公司在最近与美国政府的讨论中，获得了美国出口管制规定范围和影响的进一步厘清。资料来源：芯智讯，观察者网，财联社，中邮证券研究所请参阅附注免责声明47中邮证券科技传媒
