> 数据图表咨询下各位先进制程扩产带来更高设备投资
2025-1-3先进制程扩产带来更高设备投资◼ 摩尔定律正接近物理极限使得晶体管微型化变得越来越困难，全周围栅极（GAA）技术为制程突破提供了可行解决方案。从各晶圆厂技术路径规划来看，2nm采用GAA成为业内普遍选择。从台积电、三星、intel的规划来看，2022-2023年进入3nm节点，预计2025年进入2nm商业化阶段。200◼ 当工艺节点向3nm方向升级时，普通光刻机受波长限制，精度已无法满足工艺需求。集成电路的制造需要采购更加昂贵的极紫外光刻机（EUV），或者通过多重模板工艺，重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小的线宽，需要投入更多且更先进的光刻机、刻蚀设备、薄膜沉积设备。据IBS统计，以生产5万片晶圆产能的设备投资为例，3nm技术节点需要215亿美元设备投资，工艺制程不断进步显著提高设备投资。图表62：先进制程技术规划15010050030.8225.0421.34图表61：每5万片晶圆产能的设备投资（亿美元）215.0155.6114.284.562.747.539.52018N72019N7+N5202020212022TSMCFETFinFETFinFETFinFETDUV/EUVDUVSamsungN8EUVN7EUVN5FETFinFETFinFETFinFETDUV/EUVDUVEUVEUVIntelFETDUV/EUVIntel 10FinFETDUV资料来源：MCR嘉世咨询，IBS，雪球，中邮证券研究所N3 (2H22)FinFETEUVN3GAAEUV20242023N3EFinFETEUV2025N2GAA?N2??20262027N1.4??Intel 7Intel 4 (2H22)Intel 3 (2H23)Intel 20AIntel 18AFinFETDUVFinFETEUVFinFETRibbonFET2nd Gen RibbonEUVEUVHigh-NA EUV请参阅附注免责声明51 
