> 数据图表如何了解HBM:高带宽/高集成密度内存的核心优势2025-3-0HBM:高带宽/高集成密度内存的核心优势• 高带宽：HBM（High Bandwidth Memory）采用3D堆叠DRAM和宽总线并行访问设计，每颗HBM堆叠存储器拥有1024-bit总线，相比传统DDR/GDDR显存带宽大幅提升。例如HBM2提供>256GB/s带宽，HBM3可达819GB/s以上• 低功耗：HBM通过降低工作频率、提高总线并行度，实现更高能效。每比特传输能耗显著低于GDDR等显存（约降低30-50%）。这意味着在提供同等带宽下，HBM耗电更少，有利于控制高性能芯片的功耗和发热• 集成密度提升：HBM采用硅中介层(Interposer)的2.5D集成，将多个DRAM芯片垂直堆叠并紧贴处理器封装。相比分立显存芯片围绕PCB布局，HBM封装占用空间小、连线距离短，信号延迟低且可靠性更高。这使得在有限封装面积内提供大容量、高带宽存储成为可能。图：HBM 基础结构及封装体数据来源：SK Hynix，金元证券研究所图：HBM 各代基础数据传输路径数据来源：金元证券研究所，SK Hynix金元证券科技传媒
