> 数据图表咨询大家HBM核心要素：垂直互连-TSV2025-3-0HBM核心要素：垂直互连-TSV• HBM采用硅通孔（TSV）技术将堆叠的DRAM芯片垂直互连，常用的TSV金属填充材料包括铜（Cu，电阻率更低，但填充时易扩散）或钨（W）。工艺需先在硅中刻蚀高深宽比的通孔，再沉积介电衬垫和金属种子层，随后进行电镀填充并CMP抛光。TSV形成使每层芯片通过垂直“铜线”连接成信号通道，实现多芯片堆叠的数据传输。• 传统堆叠DRAM的封装将导线连接到每个Die的侧面，但随着布线密度提升，寄生参数（如寄生电容、电阻）导致堆叠芯片的延迟增大、功耗上升。采用TSV封装可以有效增加引脚（IO数量，传统DRAM一般为X4或X16，通过TSV堆叠，HBM引脚提升至1,024，单通道128位）的同时，缩短传输路径,提升传输速率，且功耗降低。图：TSV 正面及背面工艺：TSV 刻蚀、填充及 CMP数据来源：Applied Material，金元证券研究所图：传统引线键合堆叠 vs TSV数据来源：SK Hynix，金元证券研究所金元证券科技传媒
