> 数据图表一起讨论下TSV关键技术：高深宽比刻蚀，铜填充及CMP2025-3-0TSV关键技术：高深宽比刻蚀，铜填充及CMP• TSV刻蚀及沉积薄膜涉及两项关键指标：深宽比（Aspect Ratio，TSV深度与直径比值)及阶梯覆盖率（Step Coverage, 跨台阶处的膜层厚度与平坦处膜层厚度比值)• 高深宽比刻蚀：常用工艺包括反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching)与激光钻孔（Laser Drill)。激光钻孔具有成本优势，但在精度、批量刻蚀、热预算等方面与RIE差距较大。随着刻蚀工艺发展和TSV密度提升，深反应离子刻蚀（Deep Reactive Ion Etching，DRIE）逐步取代RIE。DRIE与RIE的原理基本相同，均基于氟基气体通过化学、物理作用进行刻蚀，但RIE的各向异性不如DRIE。DRIE通过钝化、刻蚀交替（Bosch)方式，采用高密度等离子体（感应耦合等离子体，ICP），刻蚀速率高达20μm/min。图：阶梯覆盖率、深宽比数据来源：金元证券研究所图：DRIE 刻蚀，基于 Bosch 工艺的高选择比刻蚀数据来源：SAMCO，金元证券研究所金元证券科技传媒
