> 数据图表如何了解TSV关键技术：高深宽比刻蚀，铜填充及CMP2025-3-0TSV关键技术：高深宽比刻蚀，铜填充及CMP• TSV在铜（或其他金属）填充前需要沉积绝缘层对Si衬底进行完全电气隔离。沉积绝缘层需要考虑热膨胀系数（CTE）匹配后续加工工艺，及台阶覆盖率(step coverage)问题，在高深宽比TSV中，绝缘层(如PECVD氧化硅)和阻挡层(金属薄膜)必须均匀覆盖侧壁，否则后续电镀容易出现空洞。• 通常绝缘层选择二氧化硅或氮化硅，厚度只有纳米级与微米量级。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)+正硅酸乙酯气体（TEOS）+硅烷（SiH4）在AR过高（如15：1）时侧壁薄膜变薄或中断，因此业界探索使用原子层沉积 (ALD) 来获得更佳的膜覆盖。但ALD的缺陷在于沉积速率慢，设备及材料成本较高。图：随着深宽比增加，孔内覆盖率急剧减少数据来源：《集成电路系统级封装》，金元证券研究所图：PECVD 前驱体、等离子体、副产物和其他分子碎片和物质都在腔室中漂浮,很难控制在“原子级”数据来源：Lam Research，金元证券研究所金元证券科技传媒
