> 数据图表谁知道TSV关键技术：高深宽比刻蚀，铜填充及CMP2025-3-0TSV关键技术：高深宽比刻蚀，铜填充及CMP• 刻蚀完成TSV通孔后，需要进行金属填充以形成垂直导通。目前高性能HBM应用多采用电化学镀铜(ECP)填充TSV。铜填充工序包括：溅射一层种子铜(seed)作为电镀电极，然后在硫酸铜电镀液中沉积铜直至填满通孔。为避免产生中空或接缝缺陷，必须确保种子层在高深宽比孔内连续覆盖• 铜填充后，需要通过化学机械平坦化抛光(CMP)去除多余铜并露出TSV铜柱顶面，使其与表面平齐。CMP工艺要精确控制露铜(dishing)程度：既要充分去除过量铜，又避免过度抛光造成凹陷或破坏周围介质层。典型流程是在铜上方有一层阻挡金属(如TaN)，CMP以高选择性停止在阻挡层上，然后再轻微抛光露出铜。关键设备包括CMP抛光机和在线测厚/终点检测系统。图：传统 Cu 填充“空洞”问题，及“Bottom-up”填充方法数据来源：Dupont，金元证券研究所图： 化学机械平坦化抛光(CMP)去除多余铜并露出 TSV 铜柱顶面数据来源：Dupont，金元证券研究所金元证券科技传媒
