键合工艺：实现多层堆叠• 实现多层堆叠，需要将微凸点成功连接，需要经过芯片对接焊接工艺。常见的两种工艺路径是大批量回流焊接（mass reflow）和逐芯片热压键合（TCB，Thermo-Compression Bonding）• 回流焊接工艺：传统倒装芯片封装广泛采用的方法。将带有焊料凸点的芯片与另一芯片/基板对准后，一起放入加热炉中，使所有凸点焊料同时熔化并润湿连接，然后冷却凝固形成键合。回流焊允许一次性连接大量凸点，因而效率高、成本低，非常适合凸点间距在50µm以上、对准公差较大的封装。传统回流法会遇到全局热膨胀失配的问题，芯片在熔融焊料上发生位移，冷却后可能出现对准偏差和短路失效• 热压键合工艺：TCB是一种通过局部加热加压来焊接凸点的方法。其过程是使用高精度键合头(BH)逐颗拾取芯片，精确对准其微凸点与目标晶圆/基板上的对应垫，再施加压力和局部加热，使接触的焊料在加压状态下受热熔化并填充分隔，随后冷却形成焊点。这种方法避免了整体回流时的大尺度热应力影响，仅对一个芯片区域进行受控焊接，因而能够更好地解决热胀不匹配导致的翘曲和错位问题图：TCB 工艺数据来源：《A high throughput and reliable thermal compression bonding process for advanced interconnections》，金元证券研究所图：回流焊工艺数据来源：《Optimization of reflow profile for copper pillar with SAC305 solder cap FCCSP》，金元证券研究所
