> 数据图表一起讨论下键合工艺： 底部填充材料，从毛细流填充到模塑底填充2025-3-0键合工艺： 底部填充材料，从毛细流填充到模塑底填充• 模塑底填充(MUF)：最新的发展是液态模塑底填充，一次工序即可完成多芯片的包封和填充。其做法是在多个芯片叠好后，将整个堆叠置于模具中，注入液态环氧模材，在压力下使其流遍芯片四周及间隙，然后固化成型。类似传统塑封工艺，但使用低粘度、高渗透性的树脂以保证在窄间隙中无死角充填。• 液态MUF的最大优势是速度：同时实现了过模和底填充，相比逐层CUF可缩短约70%的工艺时间。随着HBM堆叠从8-Hi增加到12-Hi甚至16-Hi，一步填充所有层带来的时间收益更加显著。SK海力士的MR-MUF工艺即属此类，通过液态模材实现较低键合应力和更优散热。• 挑战在于：液态模材在窄缝中均匀填充难度较大，可能导致晶圆翘曲。材料开发商如NAMICS等针对HBM开发了粒径极细的填料和低收缩树脂，以减小薄片堆叠的翘曲和应力。为应对更高层堆叠的热散需求，底填充材料还可能掺入高导热填料，兼顾机械支撑和导热功能。总体来看，底部填充技术正从毛细流动走向预涂/模塑的新范式，以提升制程效率和堆叠可靠性。图：CUF vs Liquid MUF数据来源：Namics，3DinCites，金元证券研究所图：SK 海力士在 HBM 2e 采用 MR-MUF 底部填充数据来源：SK Hynix，金元证券研究所金元证券科技传媒
