键合工艺：混合键合，突破I/O密度极限• 混合键合：一种不使用中间焊料凸点，而直接通过芯片间表面材料实现连接的3D集成技术。具体而言，在混合键合中，两片待键合表面同时具备金属连接和介质键合：通常是在晶圆顶层形成铜金属垫，并被二氧化硅等介电层包围，然后对两片表面进行超平坦抛光和活化处理，使其氧化物表面可以在接触时形成键合。该工艺同时实现了介质对介质和金属对金属的结合，被称为“混合”键合或直接键合互连（DBI, Direct Bond Interconnect）• 混合键合最大的特点是彻底取消了凸点焊料：两芯片间没有额外金属填料，只有嵌入在原始晶圆BEOL中的铜垫直接对接，这带来了多重技术优势：首先，键合间距显著缩小。由于不需要凸点焊盘和焊料体积，占位大为减小，可以实现10µm及以下pitch的超密互连；第二，电气性能提升：直接的铜-铜连接避免了焊料的高电阻和高延迟，降低了互连阻抗和电容，提高信号完整性和传输速度；第三，功耗和带宽密度优势：混合键合能提供远超凸点的I/O密度和更短互连长度，意味着在相同功耗下可支持更高带宽，或在相同带宽下降低功耗；第四，堆叠高度降低、散热改善：没有焊料凸点后，芯片间距可以做得非常小，使多层堆叠的总高度降低，从而更容易散热图：回流焊+凸点键合 vs 无凸点混合键合数据来源：半导体行业观察，金元证券研究所图：IO pitch 步入 10μm 后，将只能采用混合键合技术数据来源：K&S，金元证券研究所
