> 数据图表谁知道氧化硅、氮化硅和多晶硅晶圆在双反应台上刻蚀速度的
2025-3-0中微公司在等离子体刻蚀技术领域再次实现重大突破。公司宣布，通过不断提升反应台之间气体控制的精度， ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到 0.2A（亚埃级）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破，彰显了中微公司在技术研发上的深厚积累，进一步巩固了公司在高端微观加工设备市场的领先地位。 
