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2025-4-2化 学 气 相 沉 积 法 （CVD ）● 化学气相沉积（CVD）是一种通过气相反应生成固体薄膜的工艺，广 泛 应 用 于 氮 化 硅 镀 膜 。CVD工艺的核心在于控制反应气体的流量、温度和压力，从而实现高质量薄膜的制备。● 低 压 化 学 气 相 沉 积 （LPCVD）是一种在低压条件下进行的CVD工艺，通常在500-900℃的温度范围内进行。技术特点包括：高 沉 积 速 率 ，适合大 规 模 工 业 生 产 ； 均 匀 性 好 （低压环境下，气相反应物分布均匀，保证了膜层的均匀性和一致性）；高 纯 度 （反应气体的纯度高，生成的氮化硅薄膜纯度较高，适合高要求的电子和光学应用）。图表：LPCVD工艺步骤1 、 反 应 气 体 引 入 ： 选 择 合 适 的 反 应 气 体 ， 如 硅 烷 （SiH₄ ） 和 氨 气 （NH₃ ） ， 并 通 过 流 量 控 制 系 统 将 其 引 入 反 应 室 。2 、 反 应 室 加 热 ： 将 反 应 室 加 热 至 预 定 温 度 ， 通 常 在500-900℃ 之 间 ， 以 促 进 反 应 气 体 的 分 解 和 薄 膜 的 沉 积 。3 、 气 相 反 应 ： 在 低 压 条 件 下 ， 反 应 气 体 在 基 底 表 面 发 生 化 学 反 应3SiH₄ + 4NH₃ → Si₃N₄ + 12H₂ ， 生 成 氮 化 硅 薄 膜 。4 、 薄 膜 沉 积 ： 氮 化 硅 薄 膜 在 基 底 表 面 逐 渐 沉 积 ， 形 成 均 匀 的 膜 层 。5 、 排 气 和 冷 却 ： 反 应 完 成 后 ， 排 出 反 应 室 内 的 残 留 气 体 ， 并 将 基 底 冷 却 至 室 温 。资料来源：江西国材科技，国海证券研究所请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明 24 
