> 数据图表你知道曝光区域套刻误差示意图2025-4-2大幅提高光刻机产能，有利于提升良品率。与传统仅包含一个掩膜台和硅片台的光刻机工作台系统相比，双工作台系统无需依照次序完成硅片上片、形貌测量、扫描曝光、下片等工序，而是分离成同时运行的两部分完成，减少硅片切换的等待时间，极大的提高了光刻机的产能与效率，从而降低生产成本。同时，双工作台设计允许更加灵活的工艺调整与优化，有利于提高产品良品率，并大幅减少停机时间，可实现在不影响产能的情况下，进行更加复杂的测量。 超高对准精度要求，高速运动与运作稳定挑战并存。光刻机双工作台系统仍面临着一些技术难点：由于在芯片制造中图形的曝光需要多层精确叠加，套刻精度要求达到 2nm 以下，超高的对准精度对测量和运动控制等技术提出了较高要求按照当前 ASML 最先进的 DUV 光刻机产率 300wph，晶圆平台需要以高达 7g 的加速度高速移动双工作台系统的工作原理需要工作台间频繁地位置互换，对加减速防震、精确定位和减少磨损等提出了极高的要求。国盛证券综合其他
