> 数据图表各位网友请教一下光刻机曝光方式的演变2025-4-2接近接触式光刻机存在掩模和光刻胶污染、损坏以及分辨率低等问题，投影光刻机应运而生。1973 年，Perkin Elmer 公司（美国）推出了世界上首台扫描投影光刻机 Micralign，投影光刻机逐渐取代接近接触式光刻机，成为集成电路制造的主流机型。与接近式光刻机不同，扫描投影光刻机在工作过程中将掩模上的图形投影成像到硅片面。该扫描投影光刻机上安装有带有狭缝的、数值孔径为 0.17 的反射式投影光学系统。当采用波长为400nm 的汞灯光源照明时，光刻分辨率为 2m。汞灯发出的光经过狭缝后成为均匀的照明光，经反射镜照射到硅片上。由于狭缝尺寸较小，为了实现全硅片曝光，需要在整个硅片面上进行扫描曝光。光刻机工作过程中，掩模和硅片分别置于扫描台上。扫描台在曝光时同步移动扫描，使得经过狭缝的光束同时扫描掩模和硅片，实现掩模图形在硅片上光刻胶中的曝光。由于掩模和硅片明显分开，解决了掩模和光刻胶的污染、损坏等问题，分辨率也有所提高。扫描式光刻机由于采用 1：1 光学镜头进行扫描投影，主要应用于中等规模集成电路制造。 投影光刻机曝光方式先后经历了扫描投影曝光、步进重复投影曝光和步进扫描投影曝光等几个发展阶段。扫描投影曝光通过一次扫描过程完成整个硅片的曝光。步进重复投影曝光每次曝光一个场，然后步进到下一个场进行曝光，直至完成整个硅片的曝光。而步进扫描投影曝光结合了扫描投影曝光和步进重复投影曝光的特点，与步进重复曝光方式相同，每次曝光一个场，但是每个场的曝光通过扫描的方式完成。一个场曝光完成后，硅片步进到下一个场继续进行扫描曝光，直至完成整个硅片的曝光。国盛证券综合其他
