> 数据图表咨询大家硅片加工工艺：直拉法制单晶硅，坩埚为关键耗材2025-4-2硅片加工工艺：直拉法制单晶硅，坩埚为关键耗材• 石英坩埚是单晶硅拉制工艺中的关键耗材，其作用是在高温下承载硅熔体。在直拉法(Czochralski)单晶炉中，石英坩埚直接影响晶体生长的成品率和晶棒品质，由于单晶硅对纯度要求极高，石英坩埚通常一次或仅少数几次拉晶后即报废更换• 石英坩埚通常采用多层复合结构，一般具有双层或三层坩埚壁。其中内层为厚约3–5 mm的透明层（又称“气泡空乏层”），外层为含有大量气泡的不透明层（又称“气泡复合层”）• 内层（透明层）：气泡极少，晶体纯净。同质透明的内壁可避免大气泡在高温下膨胀破裂，减少石英微颗粒污染硅熔体。内层持续少量溶解提供适量氧杂质，有利于控制单晶中的氧含量，但不会过多引入其他杂质• 外层（气泡层）：机械强度与隔热支撑。外层中大量细小气泡使坩埚呈不透明或半透明状态• 石英坩埚目前已发展出具有透明层、气泡透明层、外层薄气泡层这样的三层结构，同时也有在最内层涂碱金属（如 Ba）离子溶液或增加超高纯合成石英的技术图：CZ 直拉法单晶炉构造数据来源：《芯片用硅晶片的加工技术》，金元证券研究所图：石英坩埚的多层结构数据来源：国际太阳能光伏网，金元证券研究所金元证券科技传媒
