> 数据图表如何解释硅片加工工艺：截断、滚磨、切片、倒角、双面研磨、抛光2025-4-2硅片加工工艺：截断、滚磨、切片、倒角、双面研磨、抛光• 硅片表面抛光的目的在于去除其表面由前工序（切片、研磨等）所残留下的微缺陷及表面的应力损伤层和去除表面的各种金属离子等杂质污染，以求获得硅片表面局部平整度、表面粗糙度极低的洁净、光亮“镜面”，满足制备各种微电子（IC）器件对硅片的技术要求• 为了确保硅片表面的抛光加工精度，根据工艺要求可对硅片进行两步（粗抛光、精抛光）或三步（粗抛光、细抛光、精抛光）或四步（粗抛光、细抛光、精抛光、最终抛光）碱性胶体二氧化硅抛光液的化学、机械抛光（chemical mechanical polishing-CMP）的单面或双面的多段加压抛光工艺。图：硅片的抛光工艺抛光工艺 步骤去除率（μm/min）典型压力（kPa）抛光垫类型 抛光液特点 作用两步抛光粗抛光 / 精抛光高 / 低~30–70 / ~30硬浸渍毡 / 软垫粗 / 细硅胶浆 + 碱性蚀剂粗抛：去除损伤、平整；精抛：去除微痕、提高光洁三步抛光粗抛 + 细抛 + 精抛高 / 中 / 低~30–70 / ~40–60 / ~30硬毡 / 中垫 / 软垫硅胶浆 + 碱性蚀剂增设细抛阶段，提高均匀性，削弱粗抛尖峰四步抛光粗 + 细 + 精 + 终抛高 / 中 / 低 / 极低~30–70 / ~40–60 / ~30 / ~10硬毡 / 中垫 / 软垫 / 极软垫硅胶浆 + 缓冲溶液加最终抛进一步消除亚纳米缺陷，获得镜面效果数据来源：公开数据整理，金元证券研究所图：CMP 工艺图数据来源：MDPI，金元证券研究所金元证券科技传媒
