> 数据图表想关注一下硅片分类：外延硅片，精确控制掺杂及参数2025-4-2硅片分类：外延硅片，精确控制掺杂及参数• 外延硅片是在抛光硅片表面再生长一层高纯度单晶硅薄层。通过在专用外延炉中将硅片加热至约1200°C，同时通入硅烷（SiH₄）、三氯氢硅（SiHCl₃）等含硅气体和氢气，使硅在晶片表面发生化学气相沉积生长单晶层。外延层沿基底晶格外延生长，保持与基片相同的晶向。可根据需要掺入特定掺杂气体控制外延层电阻率和厚度。外延生长通常在密闭的CVD外延炉中进行，可分为批量炉管式（可同时处理多片晶圆）和单片式（单晶圆反应腔）两类设备。• 通过外延可以得到比基片更高纯度、更低缺陷密度的硅层，适合制造高性能器件或需要不同阻值层结构的器件。外延层厚度和掺杂均匀性（需精确控制反应时间和气体流量比例），界面质量（在沉积前进行表面洁净处理，去除天然氧化膜），以及避免滑移缺陷（要求升温降温速率平缓以防晶圆热应力）。高端外延片生产还会监控沉积过程中生成的少量缺陷（如穿刺位错），通过调整工艺参数将缺陷密度降至极低。•Si Blanket Epi 是最传统、成本最低的整片外延；Buried-layer Epi 则在表面以下嵌入高掺杂或应力层，为功率与高速器件降阻／调场。将“多层”与“埋层”结合，可在一颗芯片内部做复杂的纵向掺杂/应变工程，但对外延炉的温度控制、层界面洁净度和 CMP 平整度提出最高级别要求。图：外延片生长工艺数据来源：SUMCO，金元证券研究所图：添加埋层、多层的外延片数据来源：嘉晶电子，金元证券研究所金元证券科技传媒
