> 数据图表怎样理解碳化硅具有高禁带宽度、高热导率、高击穿场强和耐高温高压等特性
2025-6-3碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体。SiC 主要应用于 MOSFET 和肖特基二极管等半导体技术。以 4H-SiC 为例，碳化硅凭借 3.26eV 宽禁带（硅的 3 倍）、310Vcm 击穿场强（硅的 10 倍），在新能源汽车、光伏等高压场景实现低损耗运行4.9WcmC热导率（硅的 3.3 倍）支持高温稳定工作，简化工业电源散热设计其热氧化兼容性兼容硅基工艺，产业化进程快于氮化镓和砷化镓。 
