> 数据图表如何了解理想汽车SiC技术布局2025-6-1理想汽车SiC技术布局◼ 2025年理想汽车首次向外界完整展示了自研自制的碳化硅电驱技术体系——从碳化硅芯片设计、功率模块封装到电驱动总成制造的垂直整合能力。➢ 芯片设计上，设计新型元胞，创新制造工艺。➢ 建立苏州半导体基地进行SiC模块封装，在多地工厂内部制造环节接入AI质检系统和连山监测系统，实行自动化制造，同时，采用KGD确保芯片质量。➢ 计划在新款纯电SUV上搭载自研SiC电驱系统，改善续航和能耗表现。图：理想汽车芯片选择-工厂架构-整车应用垂直整合体系芯片设计正六边形元胞 超深PN结冗余设计 定制化设计提升电流能力15%测试通过率达99.9%工厂架构制造环节• 自研Li-MOS系统：控制制造流程• 自研连山系统：实时汇聚制造数据3D光结构相机机械臂：自动化生产•质检环节• DeepSeek-VL7B视觉大模型：提高检测准确性约2%KGD检测系统：动静态高温短路测试•封装环节• 创新技术方案：塑封封装加新型功率端子布局，模块体积缩减50%• 分区域压力补偿、万级净化车间、塑封料与衬板高强度结合：改善开裂污染分层25年2月13日，理想自研碳化硅功率芯片完成装机，自研自产的碳化硅功率模块和新一代电驱动总成分别在苏州半导体生产基地和常州电驱动生产基地量产下线整车应用及效果2025年发布i系列纯电SUV，首款车型预计搭载自研SiC电驱系统• 碳化硅应用收益体现在系统功率密度和系统效率两个层面，进而带来安装尺寸、车内空间上面的收益和整车续航和能耗水平上的进步• 与电驱动总成，800V高压平台集成，能耗降低，CLTC续航超700公里，百公里加速进入3秒级数据来源：RIO电驱动，Myautotime，东吴证券研究所40东吴证券综合其他
