> 数据图表怎样理解800V的真正壁垒 —— SiC与充电网络2025-6-2800V的真正壁垒 —— SiC与充电网络◼ 800V本身没有过高的技术壁垒，功率半导体和充电网络是重要掣肘。800V设计的本质就是串联更多的电芯，例如单颗锂电芯电压4.2V，则串联150个电芯就能做到最大630V电压。设计原理并不难理解，但800V真正的壁垒体现在：➢ 1）功率半导体的切换：传统功率半导体的耐压等级受限，第三代功率半导体SiC成为主流应用。传统硅基功率半导体耐压能力已难以匹配高压平台升级需求，Si-IGBT在450V平台下耐压等级为650V，而800V/1000V汽车电气架构需承受1200V/1500V以上耐压要求，同时高压工况导致Si-IGBT开关/导通损耗非线性激增，系统能效与成本压力凸显。相较之下，SiC器件耐压等级、开关频率及损耗控制等性能指标全面优于硅基方案，可有效提升电机电控效率，兼容高可靠性要求。➢ 2）充电网络的升级：超充桩电压升级与超充网络必须同步适配，一根华为600kW的充电桩成本高达60万元，这还不包括其他费用（土地施工、车棚等），完成大规模的高压充电桩建设成本高昂。而随着800V上车加速，国内超充网络布局同步跟进，促进800V渗透率提速实现正循环。图：SiC相较Si器件在多维度优化图：截至2024.6各省超充站建设情况（座）数据来源：动力汽车，电子发烧友， EDC电驱未来，前瞻产业研究院，东吴证券研究所31东吴证券综合其他
