一起讨论下矽光子 SOI 晶圆剖面示意图

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2025-4-3

3. 工艺兼容性提升，光刻环节采用 193nm 浸没式光刻结合电子束直写技术，实现 100nm以下特征尺寸加工开发低温等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺，确保光学薄膜与CMOS 电路的热预算兼容通过深紫外激光退火技术实现局部区域快速热循环，平衡材料性能与器件可靠性。