> 数据图表如何看待光子集成连贯的进化2025-4-3晶圆厂（AMF）等。然而，这些平台大多通过多项目晶圆（MP W）服务提供微纳结构制备，基本局限于 CMOS 兼容材料体系和制程，难以满足纳米尺度光电子结构及芯片制备工艺复杂多样的需求。此外，纳光电子器件（尤其是光子器件）尺寸极小，对工艺误差极为敏感，如何对芯片进行高精度的实时原位检测并及时修复，成为未来大规模集成光电子芯片面临的关键技术挑战。 光电子器件微纳化与融合集成：发展多材料体系和相应工艺，进一步缩小光子器件尺寸并实现与电子器件的融合集成，充分发挥光子技术和微电子技术的各自优势，已成为光子芯片的重要发展趋势。这需要从能带理论、器件物理学等物理基础出发，降低器件尺寸，提高工作效率，突破带宽、噪声等性能瓶颈，拓展器件工作波长及应用场景。以光通信为例，面向多维度复用技术的高密度集成收发芯片是提升并行通道数、突破通信系统传输容量的关键。英特尔公司 2022 年发布的 8 波长复用硅基集成光通信芯片，虽总容量达 1.6 Tbs，但激光器和调制器占据大量芯片面积，反映出当前相关器件存在尺寸过大、集成度不高的问题，无法满足未来超大容量光通信的需求，阻碍了光通信技术的发展。因此，在实现高性能的同时，大幅减小光电子器件尺寸、提升集成密度，是纳光电子与光子芯片研究面临的关键挑战。天风证券综合其他
