> 数据图表如何解释存储原厂季度资本开支（亿美元）及增速
2025-4-6美光上修 2025 年 HBM 市场规模指引，三大原厂 HBM4 产品将在 2026 年批量出货。1）SK 海力士：24Q4 HBM 占公司 DRAM 收入 40%以上，2024 全年 HBM收入同比增长超 4.5 倍公司完成 16 层 HBM3E 产品开发，预计 2025 年完成 12层 HBM4 产品开发并将于 2026 年量产2025 年公司 HBM 收入预计同比翻倍以上增长，其中来自 ASIC 客户的需求预计显著增加2）三星：8 层和 12 层 HBM3E产品已进入量产和销售阶段，在 24Q4 将 HBM3E 供应扩展到多个 GPU 供应商和数据中心客户，HBM3E 优化产品预计在 25Q2 全面交付公司 HBM4 的开发工作正在按计划进行，目标 2025 年下半年开始量产3）美光：公司继续上修 2025年 HBM 市场规模至 350 亿美元，指引 2026 年需求仍然强劲。公司预计其 2025财年 HBM 收入达数十亿美元，2026 年实现 HBM4 大规模量产。3）供给侧：2025 年三大存储原厂资本开支聚焦 HBM 等高端存储器，部分厂商对 NAND 延续减产措施。在消费类存储尤其 NAND 产品价格疲软情况下，三大存储原厂 2025 年扩产规划聚焦高端产品，但对 NAND 等产品资本开支较为保守，部分厂商甚至将延续对 NAND 减产措施。三星 2025 年致力于优化产品组合以提升盈利能力，扩产主要聚焦 HBM 等高端存储器，预计 HBM 位元供应量同比翻倍增长美光 2024 财年资本支出为 81 亿美元，FY25Q1 为 31 亿美元，预计FY25Q2 为 30 亿美元，预计 2025 财年为 1405 亿美元，主要投资 1和 1nm 节点 DRAM，但公司将放缓 NAND 节点升级进度，并可能削减 NAND 资本开支SK 海力士指引 2025 年资本开支同比增长有限，但用于 HBM 新产线基础设施支出预计同比显著增长。 
