> 数据图表如何解释硅碳技术快速迭代，新型硅碳实现质的突破2025-4-6硅碳技术快速迭代，新型硅碳实现质的突破 研磨法制备硅碳：该路线核心是通过硅颗粒之间的空隙来缓冲材料的综合体积膨胀，为材料膨胀提供了体积变化以及应力释放的空间。其问题在于粒径较大，无法有效解决膨胀问题，循环性能一般。 硅氧路线是目前主流工艺：硅氧或者预锂化硅氧的路线主要是在材料的嵌脱锂过程中通过化学反应使硅氧材料中的单质硅粒径控制在5nm以下，颗粒间空隙更丰富，同时提供了更大的应力缓冲空间，降低了材料的整体膨胀系数。然而一代硅氧首效较低，首次充放电加入锂金属、镁金属等作为预锂剂，能让预锂化后的硅氧负极首效提升，但成本偏高；此外该工艺路线仍有一定程度的膨胀，仍存在产气现象。 CVD气相沉积硅碳路线即新型硅碳，属于新技术突破的工艺路线：CVD气相沉积硅碳路线的核心是通过低成本生产的多孔碳骨架来储硅，并通过多孔碳内部的孔来缓冲硅嵌锂过程中的体积膨胀，循环、内阻、首效、克容量等性能显著提升。且CVD气相沉积硅所需生产流程短、使用设备少、理论成本低，被认为是硅基负极材料生产的最终解决方案。图：硅碳研磨法制备工艺图：硅氧制备工艺图：新型硅碳制备工艺工艺硅三氯氢硅块状硅砂磨法纳米硅粉与石墨复合砂磨纳米硅碳负极Si+SiO2高温炉真空热处理冷凝氧化亚硅(SiOx)前躯体粗碎粉碎预锂硅氧烧结添加锂粉或锂的氧化物混合硅氧CVD炉炭包覆硅源热分解无定型纳米硅多孔炭骨架气相沉积硅碳CVD炉炭包覆硅碳请务必阅读正文之后的免责条款部分资料来源：石墨时讯，国元证券研究所20国元证券公共服务
