> 数据图表咨询下各位10纳米多重模板工艺原理，涉及更多次刻蚀2025-4-47nm 集成电路生产所需刻蚀工序为 140 次，相较 28nm 生产所需的 40 次增加 2.5 倍。先进芯片制程从 7-5 纳米阶段向更先进工艺的方向发展，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。根据国际半导体产业协会测算，7nm 集成电路生产所需刻蚀工序为 140 次，相较 28nm 生产所需的 40 次增加 2.5 倍，5nm 芯片生产需刻蚀工序达 160 次。国盛证券综合其他
