> 数据图表如何解释NAND发展趋势2025-4-4NAND 垂直化发展，进一步带动薄膜沉积设备需求提升。随着 3D NAND 芯片的堆叠层数不断增高，逐步向更多层及更先进工艺发展，堆叠过程中刻蚀及薄膜沉积使用步骤数大幅提升，2024 年 SK 海力士官方公布正式开始量产全球首款 321 层 NAND，2025 年NAND 层数有望达 4xx 层，薄膜沉积及刻蚀设备重要性凸显。国盛证券综合其他
