> 数据图表一起讨论下CMP工作原理示意图2025-4-4化学机械抛光（CMP）技术通过原子级平坦化晶圆表面，直接影响芯片质量和成品率，过程涉及氧化膜的形成与去除。CMP 技术被认为是当今唯一能够实现集成电路（IC）制造中晶圆表面全局平坦化的技术，能够达到原子级的超高平整度，其效果直接影响到芯片的最终质量和成品率。在 CMP 工作过程中，抛光液中的化学试剂会使被抛光的基底材料发生氧化，形成一层较软的氧化膜抛光垫则提供机械研磨作用，完成材料的物理去除。通过反复进行氧化成膜和机械去除的过程，最终实现有效的抛光效果。国盛证券综合其他
