> 数据图表如何解释技术节点分类2025-7-1中国大陆以 28nm美国以 18nm 为界，划分先进及成熟制程。中国大陆对先进和成熟制程之定义较为宽松，即 28nm 及以上的芯片制程为成熟制程，小于 28nm 的为先进制程。如此定义的科学依据是根据芯片设计：当晶体管的尺寸小于 25 纳米以下时，传统的平面场效应管（planarfield effect transistor planar FET）尺寸已经无法缩小，所以须采用鳍式场效应晶体管（FinFET）以将场效应管立体化，方能达到更小的制程。第 23 代 28 纳米制程为能采用平面场效应管，用于大规模商业化量产芯片的最后一代制程，和其他更早更大，均采用平面场效应管的制程，一起被归入成熟制程。美国对先进和成熟制程之定义较中国大陆为严格，即大于 18nm 的芯片制程为成熟制程，小于等于 18nm 的为先进制程。如此定义的科学依据是根据芯片生产设备：干式光刻机即使采用多重曝光技术，也无法达到大规模商业化量产 1618 纳米芯片所需的良率，因此从第25 代 1618 纳米制程起，必须只能采用湿式光刻机，芯片生产成本和技术难度也随之大幅增加。华金证券综合其他
