> 数据图表各位网友请教一下不同技术节点及其使用的图形工艺技术（22）2025-7-1斯派洛判据式指出，对于数值孔径 NA 为 1.35 的 193 nm 浸没式光刻机，一维周期线条结构的理论极限分辨率为 71.5 nm。考虑到实际掩模结构中存在变周期图形，为兼顾工艺窗口，量产工艺所允许单次光刻最小周期一般为 80 nm（金属图层）、76 nm（鳍型层或栅极层）。对于更小周期的图形制造工艺，则需要使用多重图形成像技术，即将设计版图拆分为多个版图，使每一个版图的最小尺寸周期均符合单次光刻的极限分辨率的要求。在量产工艺中，使用最多的多重图形成像技术为双重或多重“光刻-刻蚀”技术、自对准成像技术（又称“侧墙转移技术”）。此外，兼顾图形成像质量和套刻偏差，裁剪（Cut 或 Block）技术成为多重图形技术的重要组成部分。华金证券综合其他
