> 数据图表如何了解随着技术节点演进，基于浸没式光刻的多重光刻技术的步骤增加和套刻误差控制难度激增2025-7-1降低，这就要求尺寸均匀性和套刻误差等比例降低。另一个显著问题是，工艺和设备之间的波动或匹配差异会影响依赖间接对准实现精确定位的图层，这对工艺稳定性控制提出了更高要求。根据集成电路制造工艺波动与对准套刻技术数据，使用 DUV（ArFi）光刻机完成 7nm 制程，光刻工艺 step 数增加到了 34 次，套刻误差 step 数达到 59-65若使用 EUV 光刻机光刻工艺 step数仅为 9 次，套刻误差 step 数仅为 12。华金证券综合其他
