> 数据图表咨询下各位Micro LED 芯片结构
2025-7-5倒装结构：正负电极分布在同一侧，分别位于 P-GaN 和 N-GaN 的台面上。由于没有电极材料的遮挡，出光面积较大但正负电极分布在台面同侧，容易出现台面电流拥挤，影响均匀性。垂直结构：垂直结构在制备过程中通常需要去除原生的蓝宝石衬底，再通过额外的工艺将器件转移至导热系数更高的衬底上，有效提高了器件的散热能力，从而增强了器件的稳定性。而后通过激光剥离蓝宝石后露出 N-GaN 层，并制备 N 电极。此外，垂直结构的电极位于器件的上下两侧，可使电流分布更均匀，提高峰值电流密度和出光功率密度并且可进一步缩小尺寸，适用于制备高像素密度的微显示器。目前普遍认为垂直芯片结构是 Micro-LED 的发展趋势，但生产垂直结构芯片制备技术更复杂，成本仍处于较高水平，量产能力仍需提高。 
