> 数据图表想问下各位网友3.3 WOW 3D堆叠DRAM：AI低算力+超高宽带存储解决方案
2025-4-13.3 WOW 3D堆叠DRAM：AI低算力+超高宽带存储解决方案图表：紫光国芯的WOW 3D堆叠DRAM◼ WOW 3D堆叠DRAM与逻辑芯片是3D结构，属于近存计算。➢ 结构：属于近存计算，DRAM与逻辑芯片采用3D堆叠工艺封装在一起，在1片逻辑芯片上堆叠多层DRAM芯片，逻辑芯片指GPU、CPU、NPU等计算芯片、右图中为紫色的Logic Die，DRAM芯片图中仅只有1层，实际可堆叠多层。➢ 技术：使用TSV硅通孔技术、Wafer on Wafer的混合键合工艺（Hybrid Bonding）实现多层芯片之间的电气连接。➢ 性能特点：以紫光国芯的WOW 3D堆叠DRAM产品 SeDRAM为例，通孔间距（Pitch）达到10μm以内的级别，HBM的Pitch目前为几十微米，因此WoW 3D堆叠DRAM的带宽更高，另外功耗更低，属于定制化产品，容量拓展性一般。图表：紫光国芯的WOW 3D堆叠DRAM性能特点相关内容详见中泰电子团队2025/2/20发布的报告《AI系列之存储：近存计算3D DRAM，AI应用星辰大海》来源：紫光国芯，中泰证券研究所34 
