> 数据图表怎样理解CoWoS 一般流程2025-7-3CoWoS 一般流程：1. Passivation：首先，对硅基板进行钝化处理，在表明生成氧化硅薄膜，以保护其表面免受环境影响。2. TSV 转换板形成：在钝化的硅基板上先刻蚀硅通孔，后电镀铜，完全填充硅孔，用于实现垂直方向的电气连接。3. UBM 工艺：在 TSV 转换板上沉积一层金属，作为后续植球的基底。4. 临时键合：使用临时键合胶剂将 TSV 转换板（interposer）键合到载体 carrier 上。5. Backgrinding：对硅基板的背面进行机械研磨，去除大部分材料，减薄晶圆。这一步骤使整个晶圆更薄，更适合叠加。6. Si Etching, Passivation, and Cu Revealing：刻蚀去除多余的硅，镀氧化硅薄膜，并露出 TSV 的铜部分。7. C4 Wafer Bumping：在芯片上形成凸点焊球，便于芯片间的电气连接。8. 第二次临时键合：使用临时键合胶将 TSV 转换板键合到第二个载体（carrier 2）上，进行进一步的处理。9. 去键合载体1：解键合将晶圆从第一个载体上分离。10. Chip-on-Wafer, Underfill：将芯片通过倒装焊接到 TSV 转换板上，并进行底填充。11.去键合载体2 和切割：通过解键合技术将 TSV 转换板从第二个载体上分离，并将其切割成一粒一粒的状态。12.封装：将 11 中的成品组装到封装基板上，并进行最终的测试和底填充。华金证券综合其他
