> 数据图表如何看待HBM 内部结构2025-7-3HBM 通过 3D 堆叠工艺将 8-12 层 DRAM 芯片垂直集成，借助 TSV（硅通孔）技术实现层间万级互联通道。以 SK 海力士最新量产的 HBM3E 为例，其采用 1 nm 制程与混合键合技术，单颗容量达 24GB，带宽突破 1TBs，相当于在指甲盖大小的空间内构建起 12 车道的数据高速公路。这种突破不仅来自 DRAM 工艺进步，更依赖于 2.5D 封装中硅中介层的精密布线台积电 CoWoS 技术能在 1 平方厘米内布置超过 10 万条微凸点，将处理器与内存的物理距离缩短至微米级。华金证券综合其他
