> 数据图表咨询下各位用于 HBM 的 DRAM 晶圆制程2025-7-3简要介绍这两个制程。1）晶圆制程：与传统 DRAM 晶圆工艺不同，HBM 在前端制程（FEOL，包括有源器件和存储单元等功能层）完成后，增加了 TSV 制程。TSV 制程主要包括光刻和干刻、多种沉积镀膜技术、TSV 填孔（包括电镀和化学机械抛光 CMP）等工艺步骤。TSV 的深度是根据三维堆叠时芯片的厚度而确定的，目前通常在 2030m 左右。完成 TSV 制程后，会再次进入传统的 DRAM后端制程进行金属布线，最后形成微凸点。由于此段 TSV 制程处于 FEOL 与后道 BEOL 之间，因此常被称为中间通孔 TSV（Via-middle TSV），这一工艺目前已经非常成熟。华金证券综合其他
