> 数据图表如何了解HBM 技术演进2025-7-3混合键合设备用于 10m 节距以下，为下一代 HBM 理想解决方案。经过验证表明，热压键合工艺通常适用的节距范围是 8040m，对于细间距微凸点，电镀时凸点之间极小的不均匀也会影响良率和性能，因此 10m 节距以下将会采用混合键合技术。混合键合技术互连密度更高，节距更小，能效更低，可以提高芯片间通信速度，节距可以达到 10m 及以下，是未来应用于下一代 HBM 产品键合的理想解决方案。目前，韩国三星与 SK 海力士正在研发，预计将会在 HBM4 产品上使用混合键合技术。华金证券综合其他
