> 数据图表谁能回答功率+价值量双升，技术+客户壁垒筑行业护城河
2025-8-1功率+价值量双升，技术+客户壁垒筑行业护城河技术升级路径：SiC、GaN逐步 替代 Si 基功率器件 碳化硅、氮化镓属于第三代半导体，在能量转换效率、耐高温高压等方面相较硅都有着显著提升。SiC 具备约 9 倍于硅的临界电场和 ≈490 W/m·K 的热导率，显著增强了高压（600–1200 V）承载与散热能力；GaN 零反向恢复损耗与 < 1 ns 的快速开关则进一步降低结温和简化散热设计。PSU电源中输入 PFC 级/中间总线/LLC 共振/主 DC→DC 降压/点 Load VRMs等功率器件环节均存在第三代半导体替代空间，但目前可靠性验证不足、原件成本较硅基更高，在PSU中SiC、GaN渗透率尚低。纳微半导体、英飞凌等功率半导体公司均开始研发适用800V HVDC架构下的SiC和GaN器件，引领下游服务器电源向更高功率密度方向发展。图：三代半导体物理特性对比图：上游功率半导体公司开始研发新一代电源的器件环节供应商HVDC产品进展纳微半导体上游罗姆英飞凌25年5月21日，公司宣布与英伟达合作开发下一代800V HVDC架构，纳微半导体专注于下一代功率半导体技术，其 GaNFast 氮化镓功率芯片在高功率应用中具备卓越的可靠性和鲁棒性，且推出了 80 - 120V 的中压氮化镓功率器件，专为 AI 数据中心电源优化设计2025 年 6 月 23 日消息称，罗姆作为功率半导体技术领域公认的领导者，是支持英伟达全新 800V HVDC 架构的主要硅供应商之一，拥有包括碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体在内的丰富产品阵容英飞凌宣布正在携手英伟达开发采用集中式电源供电的 800V 高压直流（HVDC）架构所需的下一代电源系统。英飞凌在 AI 电源应用场景上可提供硅、碳化硅、氮化镓三种产品组合数据来源：相关公司官网，深企投研究，东吴证券研究所27 
