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谁能回答中介层尺寸不断提升,能够容纳更多数量的 Logic die 和 HBM,但是中介层

2025-8-4
谁能回答中介层尺寸不断提升,能够容纳更多数量的 Logic  die 和 HBM,但是中介层
中介层尺寸升级是 CoWoS 持续演进的核心方向,尤其是在 AI 应用对更高算力,更多内存的需求下。作为典型的 2.5D 先进封装路线,CoWoS 工艺的技术突破集中体现在硅中介层(interposer)的不断演进上。中介层承载了逻辑与存储芯片间的高密度互联,而且尺寸对系统级集成的上限有决定性影响 :中阶层尺寸更大,则有更多空间承载更大的逻辑芯片与更多的 HBM。而受限于光刻掩模尺寸(单个掩模约2633mm),早期 CoWoS-S 中介层面积约为 775mm,已接近传统单掩模极限。随着高性能芯片需求激增,台积电通过掩模拼接技术(mask stitching),实现中介层由 1x reticle(单倍掩模)向 2x reticle、3x reticle 尺寸扩展。第二代 CoWoS-S 中介层尺寸扩展至约 1150mm,第四代则突破至 1700mm,可支持封装 6 颗 HBM2,第五代则进一步扩大至 2500mm,约为 3x reticle 面积,足以容纳两个大型逻辑芯片(如双 GPU或 CPUGPU)及 8 颗 HBM,实现相比前代近 20 倍晶体管数与 2 倍内存堆栈的集成密度飞跃。