> 数据图表你知道CoWoS 三种工艺的结构不同，对应的应用场景和优势各有差异2025-8-4CoWoS 家族中，CoWoS-R 采用 RDL 中介层，降低成本的同时提升封装扩展性。CoWoS-R 采用类 InFO 工艺，构建 RDL（Redistribution Layer）中介层，本质上为一种“有机材料铜布线”的中介层结构。该结构不再使用传统硅中介层，而是通过多层铜互连与低 k 聚合物介质材料（如聚酰亚胺）实现芯粒之间的高密度连接。从结构上，包括逻辑芯片、存储芯片及小芯片模块等均通过微凸点（micro bump）与 RDL中介层互联，并最终由 C4 凸点连接至封装基板。整体结构较薄，封装厚度更易控制。相较传统硅中介层（CoWoS-S），CoWoS-R 不需要 TSV，具备明显的成本优势，但是随着尺寸提升，仍需面对掩模拼接和多种材料 CTE 失配引起的良率控制问题。台积电已于 2023 年实现 CoWoS-R 的量产，2025 年有望推出 1.6x reticle 尺寸的大封装规格，可支持汽车电子等下游场景。CoWoS-L：局部硅互连全局 RDL 作为中介层，兼顾高性能的同时，有望进一步推进封装尺寸提升。CoWoS-L（Local Interconnect）是台积电 CoWoS 系列中面向大规模 AI 和 HPC 应用的新一代封装架构，其最大创新在于采用硅互连（LSI）芯片、全局 RDL 以及模塑形成中介层，取代传统的单一大尺寸硅中介层。LSI 单元保留了硅中介层的优良特性，包括亚微米铜互连、硅通孔（TSV）和嵌入式深沟槽电容（eDTC），以确保良好的系统性能同时在中介层中引入了绝缘体通孔（TIV）作为垂直互连，提供了比 TSV 更低插入损耗的路径。与 CoWoS-S 相比，CoWoS-L 有效规避了大尺寸硅中介层所带来的问题，比如成品率下降的矛盾。开源证券综合其他
