> 数据图表如何看待LSI die 制备的两种流程：LSI-1 由 Cu 双重大马 CoWoS-L 制造工艺流程2025-8-4从制备来说，CoWoS-L 中的 LSI 仍需前道工艺支持。CoWoS-L 采用的是“chip last”组装形式，即在顶部芯片堆叠前先完成中介层制造，而中阶层制造的第一步则是以前道工艺完成核心的局部硅互连（LSI）制备。在大规模集成电路中，铜互连结构的形貌直接影响电性能与最小线宽能力，LSI 的互连性能成为中介层性能的关键。台积电目前已开发出两种 LSI 制程路径：一是基于铜双重大马士革（Dual Damascene）工艺，另一种则采用铜 RDL（Redistribution Layer）工艺。具体来看，LSI-1 仍在 12英寸晶圆上完成制造，先形成硅通孔（TSV）与第一金属层（M1），随后采用双重大马士革工艺，以未掺杂硅酸盐玻璃（USG）作为介电层，实现铜互连结构的嵌入。在该方案下，金属最小线宽间距可达 0.8m0.8m，金属厚度约为 2m。LSI-2同样包括 TSV 和 M1 结构，不同的是，在完成 M1 后，采用半加成工艺（SAP），以聚酰亚胺（PI）为介电材料，形成铜 RDL 结构，其最小线宽间距为 2m2m，铜厚约为 2.3m。开源证券综合其他
