> 数据图表我想了解一下1.3 掩模版是半导体平面工艺不可缺少的材料2025-8-21.3 掩模版是半导体平面工艺不可缺少的材料Ø 光刻工艺是把掩模版上的IC图形通过曝光和显影等工序，转移到半导体基片表面的光刻胶上，再以所形成的抗蚀剂图形作为掩蔽层，在刻蚀工艺中可以阻挡对基片的刻蚀、在扩散工艺中可以阻挡杂志往基片内部扩散、在注入工艺中可以阻挡离子注入、在金属化工艺中可以阻挡金属膜的刻蚀形成铝引线，因此掩模版在半导体平面工艺中是不可缺少的。Ø 掩模版在设计时有着明场和暗场之分，在其与之光刻胶（正、负胶）曝光时可以根据工艺时的需要来选择设计。掩模版工作原理掩模版特性资料来源：汉轩微电子制造（江苏）有限公司官网、《光刻技术六十年》陈宝钦，华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明6华金证券综合其他
