> 数据图表如何了解1.6 掩模技术的发展与光刻技术的进步密切相关2025-8-21.6 掩模技术的发展与光刻技术的进步密切相关Ø 根据光刻技术所遵循瑞利准则可知，降低入射光源波长是提升光刻系统分辨率的有效方法之一，但光源波长并不是线性可选择的，以ASML为例，其从g-line光刻机发展到DUV光刻机和现在的EUV光刻机，在DUV光刻机中249nm和193nm是最常见的波长（λ），EUV光刻系统的光源波长为13.5nm。但随着时间推移，芯片的大小呈指数级缩小，会导致特定光源波长与要成像的晶体管尺寸的差距会持续扩大，物理衍射就会使图像模糊。当芯片的关键尺寸小于光源波长的时候，所需要的掩模版越来越复杂。缩减光源波长与晶体管尺寸差距是光刻技术关注重点之一芯片关键尺寸不断缩小导致掩模版复杂度大幅度提升资料来源： 腾讯网、半导体行业观察、 WIkipedia ，华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明9华金证券综合其他
