> 数据图表各位网友请教一下1.10 光刻增强技术（RET）是掩模版向前演进的核心技术2025-8-21.10 光刻增强技术（RET）是掩模版向前演进的核心技术Ø 光刻增强技术(RET: reticle enhancement technology)是为充分利用光波的基本物理特性，挖掘光学曝光技术巨大潜力，实现增强光刻分辨率的各种技术，是光刻中用来实现高分辩光刻成像质量的重要手段。随着该技术的不断突破，光刻技术得以从微米尺寸延伸至纳米尺寸。Ø 常见的光刻增强技术主要包括离轴照明（OAI）,光学邻近校正（OPC）,移相掩模（PSM）,次分辨率辅助图（SRAF）等方法。大多数RET都对掩模的形状和相位进行一定程度的改动,从而达到提高图形转移质量的目标。目前的研究和使用结果表明,分辨率增强技术中的掩模补偿技术最基本的是两种形式：改变掩模图形和改变掩模相位。两种技术的目的都是为在己有的集成电路生产工艺设备基础上制造出更小的特征尺寸,且制造出的电路和设计的电路在功能上保持一致RET在不同制程节点解决方案演进利用缩短曝光波长实现准分子激光光源光刻技术利用改变入射方向实现离轴照明（Off-axis illumination，OAI）光刻技术利用调制光强分布实现光学邻近效应校正（Opticalproximitycorrection，OPC）技术利用调整相位 分 布 实 现 移 相 掩 模（Phase-shifting masks，PSM）光刻技术利用光的干涉衍射实现光的波前重建工程的应用利 用 光 的 折 射 率 实 现 浸 没 透 镜（Immersion）光刻技术的应用光刻增强技术利用光的定位对准实现二次图形化（DPT）光刻技术的应用利用软 X 射线反射镜和反射掩模片实现 EUV 光刻技术资料来源：《光刻技术六十年》陈宝钦、芯制造、《纳米加工技术的发展现状与挑战》刘明，华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明13华金证券综合其他
