> 数据图表谁能回答1.11 计算光刻技术引入以进一步应对更小的CD精度2025-8-21.11 计算光刻技术引入以进一步应对更小的CD精度Ø 随着光刻技术发展到90~45nm及以下工艺节点，集成电路的CD已经进入深亚波长量级，即CD远远小于曝光波长。此时，光波的干涉和衍射效应、厚掩膜的三维效应、光波的偏振特性、光学投影物镜像差、系统误差、光刻工艺中的变化因素（如离焦、曝光剂量变化等）都将严重影响光刻成像结果，导致光刻图形产生扭曲和失真，传统的RET技术已经无法满足光刻成像误差的补偿精度要求。为此，研究人员将RET技术原理与数学建模和数值算法相结合，提出并发展了计算光刻技术。Ø 计算光刻技术是基于光学成像和光刻工艺模型，采用数学方法对光刻系统参数和工艺参数进行独立或综合优化设计，用于提高光刻成像精度和IC制造良率，缩短IC工艺研发周期，降低IC制造成本的一类技术的总称。90nm以下技术节点必须采用计算光刻技术来提升光刻系统的成像性能。计算光刻通常包括光学邻近效应修正（OPC）、光源-掩膜协同优化技术（SMO）、多重图形技术（MPT）、反演光刻技术（ILT）等四大技术。三种计算光刻技术的对比计算光刻的流程光刻技术光刻成像物理仿真光学邻近效光源—掩膜协同应校正优化核心模衍射/干涉成像模快速成像模混合模型型型型输入量 光刻机及光刻工艺掩膜版图各相关参数输出量 光刻成像效果修正的掩膜版图用途 涉及并调整光刻机补偿图形失参数真优化光刻工艺参数光瞳填充参数初始掩膜版图优化的光瞳填充参数修正后掩膜版图增大工艺窗口资料来源：《计算光刻研究及进展》马旭等、电子发烧友、《先进计算光刻》袁淼等，华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明14华金证券综合其他
