> 数据图表怎样理解1.16 移相掩模技术引入以改善图形对比度2025-8-21.16 移相掩模技术引入以改善图形对比度u PSM（Phase-Shift Mask，移相掩模）是IBM公司研究实验室于1982年提出来的一种新型掩模技术。其基本原理是利用通过不带相移层区的光线和通过带相移层区（移相器、光线相位产生180°的移动）光线之间因相位不同产生相消干涉，从而改变了空间的光强分布，实现了同一光学系统下的倍增分率的提高，提高的幅度近一倍。Ø 随着移相掩模技术的发展，涌现出众多的种类，大体上可分为交替式移相掩膜技术、衰减式移相掩模技术；边缘增强型相移掩模，包括亚分辨率相移掩模和自对准相移掩模；无铬全透明移相掩模及复合移相方式(交替移相+全透明移相+衰减移相+二元铬掩模)几类。当半导体的最小线宽小于130nm后，由于光的干涉现象的存在，传统的二元掩膜版（Binary Mask）无法对晶圆进行有效曝光，因而需要采用移相掩膜（PSM）技术，在光刻中利用相位差产生的干涉来提高图像分辨率 。移相掩膜技术基本原理PSM给光学系统分辨率带来的提高资料来源：芯语、《先进相移掩模（PSM）工艺技术》彭力等、《关于深圳清溢光电股份有限公司2023年度向特定对象发行A股股票申请文件的审核问询函的回复》，华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明19华金证券综合其他
