> 数据图表怎样理解1.17 PSM掩模版制备工艺更复杂2025-8-21.17 PSM掩模版制备工艺更复杂Ø 相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料，通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀，并对相移、缺陷等进行分析和检测，确保能达到设计要求。Ø 相移掩模（PSM）技术是在一层版上生长两种材料涂上胶，第一次曝光后对第一层材料进行显影、腐蚀、检验、清洗后再涂胶进行第二次曝光，然后对第二层材料进行显影、腐蚀、检验、清洗。随后进行各种相应检查，包括相位角测量、缺陷检测、颗粒检测、图形完整性检测等。由于 PSM 掩模需要进行两次曝光，不仅要求能够更加精确地控制套刻精度，而且周期较长，控制难点较多。PSM 的主要技术要点为相移掩模条宽（CD）控制技术、相移掩模缺陷控制技术、相移掩模相位角控制技术、相移掩模套准控制技术。Ø 相移层（相移器）是一层透明的薄膜，它的功能是使通过它的光线发生相位移动，因而制备相移膜并且精确地控制膜厚是制造相移掩模工艺中的技术难点之一。二元掩模版与相移掩模版对比资料来源：龙图光罩招股书、 《先进相移掩模（PSM）工艺技术》彭力等、风闻，华金证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明20华金证券综合其他
