> 数据图表如何才能珍惜有限 创造无限2025-8-4珍惜有限 创造无限1.3 铜浆产业化的难点及解决方案 铜迁移的原因：铜原子在高温烧结过程中快速扩散进入硅基体，通过晶格空位和间隙路径移动，形成深能级陷阱中心。这破坏PN结结构，导致杂质复合增强、少子寿命下降、漏电流增加、开路电压降低。铜的扩散速度极快，在TOPCon电池（涉及多层掺杂接触区）中尤为严重，因为其多晶硅薄膜结构对铜扩散敏感。HJT结构含有TCO层，可以有效阻挡铜迁移，因此对于铜迁移问题，主要针对TOPCON和BC电池。 铜迁移的解决方案：通过在铜和硅片中间添加种子层，以防止铜对硅的扩散。图表7：铜迁移解决方案图表8：银种子层示意图正面/背面金属化TOPCon前驱体入射光银种子层铜栅背面/正面丝网印刷间断线+焊接点银浆烧穿背面/正面丝网印刷主栅和副栅低温铜浆200摄氏度干燥2mins120摄氏度干燥1mins780摄氏度烧结300摄氏度固化10s导电丝导电种子层电 池 片资料来源：《Ultra-Lean Silver Screen Printing for Sustainable Terawatt-Scale Photovoltaics》 Brett Hallam ，五矿证券研究所资料来源：AIOT大数据，五矿证券研究所测算7五矿证券综合其他
