> 数据图表咨询下各位2023-2035年DRAM技术演进2025-9-2从技术对比视角来看，传统 DRAM 单元阵列采用源极、栅极、漏极（含电容器）的横向排列方式，而 4F结构则通过自上而下的垂直堆叠重新定义单元形态。在空间占用上，传统结构需依托位线占据 3 个单位空间，4F结构则仅需 2 个单位空间，这使得在相同面积内可集成的存储单元数量显著提升。当前，该技术路线已成为行业重要研发方向，三星正在开发的垂直通道晶体管（VCT）DRAM，以及 SK 海力士推进的垂直栅极（VG）DRAM，均以 4F结构为核心技术架构。国盛证券综合其他
